宏微科技2023年半年度董事会经营评述内容如下：

【资料图】

一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明

（一）主要业务、主要产品或服务情况

公司自设立以来一直从事IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售，并为客户提供功率半导体器件的解决方案，IGBT、FRED单管和模块的核心是IGBT和FRED芯片，公司拥有诸多具有一定先进性的相关知识产权。公司主营业务中的单管完全采用自研芯片，模块产品以自研芯片为主外购芯片为辅。IGBT、FRED作为功率半导体器件的主要代表，是电气与自动化、电力传输与信息通信系统中的核心器件。在当前复杂而严峻的国际形势下，积极推动我国功率半导体材料、芯片、封测的国产化进程具有极其重大的意义，而研发和生产自主可控的IGBT、FRED芯片及模块已成为国家战略新兴产业发展的重点。

目前，公司产品已涵盖IGBT、FRED、MOSFET芯片及单管产品80余种，IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品270余种，公司产品应用于工业控制（变频器、伺服电机、UPS电源等），新能源发电（光伏逆变器等）、电动汽车（电控系统等）等多元化应用领域，公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。

（二）主要经营模式

1.研发模式

公司建立了以客户需求为导向的研发体系，制定了《项目立项管理办法》《产品质量先期策划控制程序》《设计和开发控制程序》等研发流程控制文件，研发流程主要包括立项、产品设计与开发、过程设计与开发、产品试生产、产品量产五个阶段，各个研发项目均由产品质量先期策划（APQP）小组承接项目，每个阶段均由专门的评审委员会进行评审。

2.采购模式

公司的原材料主要包括芯片、DBC基板、铜底板、焊料、铝铜线、外壳等，其中芯片的采购主要通过自主研发设计并委托芯片代工企业制造加工，以及向英飞凌等生产厂商直接采购两种方式；其他材料主要通过选取至少两家合格供应商比价采购的方式。公司采用订单采购的采购模式，对于生产中常用的直接物料，由计划部门根据销售订单或销售预测通过ERP系统提交采购请求，由采购部根据供应商的交货周期进行下单；对于偶然所需的临时物料，由需求部门填写《请购单》提出请购需求，通过公司OA系统逐层提交至公司管理层审批，通过后由采购部负责统一采购。

3.生产模式

公司具备完善的生产运营体系，主要采取“以销定产”的生产模式，由运营办公室综合考虑市场需求、原材料供应和产能情况制定生产计划，公司产品的生产具体可分为两种模式：自产模式和委托加工模式。

（1）自产模式

公司模块采用自产模式，通过自有生产线对功率半导体芯片进行模块化封装与测试，最终形成功率模块。公司的模块产品可分为标准品和定制品，公司的标准品主要依据产品电压、电流等规格，设计生产出通用的不同系列的产品，并向客户销售；定制品主要系公司与客户在技术层面深度合作，设计生产的产品以满足客户的特殊需求。公司定制化产品分成量产前及正式量产后两个阶段。量产前，公司按客户要求进行生产工艺设计及样品试制和可靠性测试，公司按照研发过程中投入的原材料、人工成本、测试费等为基础向客户收取技术服务费；量产后，公司按照客户的设计方案、技术指标要求，组织生产并批量提供产品。

（2）委托加工模式

公司采取Fabless模式，对于芯片及单管产品生产采用委托加工模式。公司专注于芯片的研发和设计，将设计好的芯片委托给芯片代工企业制造，公司利用芯片代工企业强大的芯片生产能力来满足公司单管和模块中的芯片需求，实现产品链的一体化构建。由于国内从事单管产品封装厂家较多，公司将单管产品的封装与测试环节委托给具备单管先进封装工艺的公司进行代工。

4.营销模式

公司销售采取了直销为主、经销为辅的方式。在直销模式下，公司通过网络宣传、派出经验丰富的营销和技术团队进行业务走访、参加国内外各种行业展会和学术交流会议等方式向下游客户介绍公司产品、了解客户需求、推荐使用方案并展开销售活动；在经销模式下，公司通常与营销能力较强且具备一定专业知识、行业经验和市场资源的经销商合作，利用经销商的渠道和经验拓展客户资源，扩大市场占有率。

（三）所处行业情况

1.行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛

（1）发展阶段

功率半导体分立器件为半导体行业的主要组成部分，更是发电、输电、变配电、用电、储电等领域的基础核心部件。

功率半导体的下游应用领域十分广泛，且需求持续稳定增长。除了消费电子、通信、计算机、工业控制、汽车电子等传统领域，近年来，功率半导体器件在电动汽车/充电桩、新能源发电、智能电网、轨道交通、变频家电等诸多新兴应用领域中得到广泛的应用，随着“碳中和”战略的推进，功率半导体器件将迎来一个高速发展时期。

（2）基本特点

半导体行业属于技术、资本和人才密集型行业，无论是技术研发还是产线建设都需要大量的资金投入。公司目前正面临电动汽车、新能源发电等下游新兴产业带来的市场机遇。公司在未来发展和争取市场机遇过程中需投入大量的资金来进行产品及工艺的研发、产能的提升和研发人才的引进。

（3）主要技术门槛

自上世纪80年代IGBT产品开启工业化应用以来，一直为国外知名公司所垄断，国外知名公司的产品系列化很全，应用面很广，其中英飞凌已实现各种电压范围IGBT覆盖，三菱、富士电机、安森美也涵盖了多个电压区间。近年来，IGBT技术经历了丰富的演变，涌现出不同的IGBT技术方案，这些方案主要由英飞凌、三菱电机和富士电机等海外厂商主导推动。海外厂商IGBT的结构设计仍在不断突破和创新，先后推出了沟槽栅场阻断结构、微细槽栅结构、侧栅结构、鳍状基区结构等新技术，推动了IGBT应用和市场发展。同时IGBT的制造工艺也在持续创新，深沟槽、精准掺杂、深度扩散、超薄片以及质子注入等多种工艺的引入形成了较高的技术壁垒，制造技术也成为实现IGBT自主创新的关键。近几年来，国内IGBT无论是在芯片设计方面还是在芯片制造和封装方面虽有突破但与国外相比仍有不少差距。

以SiC为代表的第三代半导体2021年首次导入商业化，2018年在产业链下游应用爆发的推动下，正式进入高速发展期，SiC功率器件（SBD、MOSFET）目前广泛用于新能源汽车、光伏、轨道交通等领域，以意法半导体，英飞凌科技为首的国际领先企业已实现SiC器件的量产并占据全球绝大部分市场份额。平面栅、沟槽栅、深沟槽、超薄片等新技术的引入使得SiC功率器件在成本和性能上更具优势，但上述技术的栅氧质量、双极退化、阈值电压漂移、动态可靠性等诸多问题在设计和制造端都形成了很高的技术壁垒。近年来，国内SiC行业在衬底制备、芯片设计、晶圆制造和封测方面都有突破，但与国外相比，技术水平和市场份额都有较大的差距。

2.公司所处的行业地位分析及其变化情况

公司致力于功率半导体芯片、单管及模块研发与生产。公司曾荣获“新型电力半导体器件领军企业”、“苏南国家自主创新示范区瞪羚企业”、“PSIC2019中国电动汽车用IGBT最具发展潜力企业称号”和“中国电气节能30年杰出贡献企业”等荣誉称号。“2-200A/200-1200V”超快速软恢复外延二极管（FRED）芯片性能指标达到国际同类产品的先进水平。公司“超快软恢复外延型二极管（FRED）系列产品”、“一种新型的NPTIGBT结构”于2015年荣获中国半导体行业协会等授予的“中国半导体创新产品和技术奖”。2015年，公司“高压大电流高性能IGBT芯片及模块的产业化”项目获得江苏省人民政府“江苏省科学技术奖三等奖”，“一种新型NPTIGBT芯片和模块的开发及产业化”项目获得中国电源学会科学技术奖一等奖。公司通过技术创新、产品外延等手段不断延伸产品线，能够满足不同终端客户对产品的技术参数和性能多样性的需求，具有一定的市场占有率和较强的品牌影响力。2021年，公司荣获“江苏省小巨人企业”的奖励。2022年，公司荣获“国家级专精特新小巨人企业”的奖励。公司凭借可靠的产品质量和优质的服务与众多知名企业客户保持了良好的商业合作关系，同时依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。

二、核心技术与研发进展

1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况

公司建立了健全的研发体系和研发管理制度，加强对研发组织管理和研发过程管理，不断强化芯片设计、模块封装测试等工艺技术积累，在核心技术方面不断突破，打造了自身在功率半导体芯片设计领域和模块封装领域的核心能力，并形成了公司的主要核心技术，

上述技术来源均为公司自主研发，并独立享有相关知识产权成果。

2.报告期内获得的研发成果

报告期内，公司根据研发项目计划以及市场需求情况展开技术及产品研发工作，根据项目要求配置先进设备，按项目特点和需求合理配置研发团队，加强对外合作，充分利用公司研发资源，提升公司的自主创新能力和研发水平，巩固和保持公司产品和技术的领先地位，取得了一定成效。报告期内，公司主要取得的研发成果如下:

（1）光伏用400A/650V三电平定制模块开发顺利，已开始批量交付，目前产能稳定，终端表现良好；

（2）车用800A/750V双面散热模块开发顺利，通过相关车用可靠性测试及系统测试，已开始小批量交付使用；

（3）车用750V12寸芯片的顺利开发以及其对应的车用模块快速上量；

（4）12寸1700V高性能续流管及1700V IGBT芯片已完成开发和验证。

3.研发投入情况表

研发投入总额较上年发生重大变化的原因

研发投入合计较上年同期增加117.24%，主要系公司持续重视研发工作，项目有序推进，并且较上年同期新增了1个在研项目,新增项目为：光伏用FRED芯片及分立器件的研发及产业化。

4.在研项目情况

5.研发人员情况

6.其他说明

二、经营情况的讨论与分析

报告期内，公司专注于功率半导体器件的研发和技术创新，已经建立完善的研发体系和研发团队，目前公司已具备先进的IGBT、FRED芯片设计、工艺集成、模块的封装设计及工艺实现、器件的产品特性分析及可靠性研究等能力，自主研发已成为公司核心竞争力之一。产品方面公司已在IGBT、FRED等功率半导体芯片、单管和模块的设计、封装和测试等方面积累核心技术，随着公司技术与产品在工控领域的不断渗入及新能源领域的不断拓展，有望带动公司业绩持续增长。受益于双碳战略对于新能源汽车、光伏等下游产业成长所带来的巨大推动及半导体器件国产化的驱动，公司业务将进一步快速增长。公司将全面优化管理流程，大力提高运营效率，降低成本提升效益，实现高质量高速发展。

（一）经营情况

在部分原材料供应紧张、价格上涨的情况下，公司通过技术创新、工艺改进和精细化管理，提高了生产效率和产品的良品率。通过加强上下游协同，深化产业链战略合作，核心竞争力持续提升。报告期内，公司实现营业收入76,441.78万元，归属于上市公司股东净利润6,251.85万元，同比分别增长129.70%和93.90%。

（二）募投项目情况

报告期内，公司抓住市场需求旺盛和国产化替代的机遇，积极推进募投项目建设。加快引进先进的生产工艺设备，扩大产能，缓解了产能缺口。截至报告期末，“新型电力半导体器件产业基地项目”及“研发中心建设项目”共计已投入31,938.14万元。

（三）研发工作情况

报告期内，公司为加快产品开发速度、提高产品开发成功率、加强产品开发阶段质量管控，在产品研发阶段导入了项目管理。并在公司内部多场合、多频次宣贯“目标管理、进度管理、预算管理”的意识，强调“通过团队协作，加速新品和新技术开发、产品迭代”的理念，通过“产品需求管理、产品概念策划、项目目标和计划评审、项目立项评审、项目阶段评审、项目验收考核”等一系列措施的环环相扣，使得研发项目按时完成率和目标达成率较往年有较大的提升。聚焦公司主营业务方向、服务于中长期业务发展需求，公司在重点应用领域（如电动汽车、光伏）、重点客户、新市场积极布局新产品开发，通过市场调研、应用分析、联合下游客户合作，持续筛选出经济效益较好、市场竞争力较强、技术含量高，创新性高，填补市场空白的产品开发需求。公司以汽车产品质量管理IATF16949体系中五大工具（APQP、FMEA、PPAP、MSA、SPC）为切入点，梳理了APQP五个阶段的输入与输出文件，使得项目开发过程中紧密围绕产品质量管理的主线，重点强化了DFMEA、PFMEA、CP、SOP的信息对齐与贯通，提高了产品开发阶段全过程质量意识及重要性。

基于项目管理的产品开发模式，公司通过明确项目目标、进度管理、预算管理，明确了项目开发各个阶段的工作内容及输出物，设立了项目里程碑，在各个关键阶段组织评审，评审阶段目标及工作完成情况、问题点关闭情况是否达到预期要求，能否满足进入下个阶段工作的条件。实施项目管理以来，设计开发阶段的变更得到了有效的控制、产品质量先期策划（APQP）的深入度得到了加强、开发阶段的风险项和问题点识别愈发细致。项目团队人员专业化程度、职业化素养、人员的积极性得到较大的提升，“目标结果为导向、成本和经营意识、项目时间的紧迫性”逐步地深入到各个部门中，团队协作的意识得到加强。

报告期内，公司根据年度研发计划以及市场需求情况展开技术及产品研发工作，根据项目要求配置先进设备，按项目特点和需求合理配置研发团队，加强对外合作，充分利用公司研发资源，提升公司的自主创新能力和研发水平，巩固和保持公司产品和技术的领先地位，取得了一定成效。报告期内，公司主要取得的研发成果如下：

1、光伏用400A/650V三电平定制模块开发顺利，已开始批量交付，目前产能稳定，终端表现良好；

2、车用800A/750V双面散热模块开发顺利，通过相关车用可靠性测试及系统测试，已开始小批量交付使用；

3、车用750V12寸芯片的顺利开发以及其对应的车用模块快速上量；

4、12寸1700V高性能续流管及1700V IGBT芯片已完成开发和验证。

三、风险因素

（一）核心竞争力风险

1、技术升级及产品迭代风险

功率半导体器件行业技术不断升级，持续的研发投入和新产品开发是保持竞争优势的关键。公司现有的技术存在被新的技术替代的可能。如国内外竞争对手推出更先进、更具竞争力的技术和产品，而公司未能准确把握行业技术发展趋势并制定新技术的研究方向，或公司技术和产品升级迭代的进度跟不上行业先进水平，新产品研发失败，将导致产品技术落后、公司产品和技术被迭代的风险。

（二）经营风险

1、重要供应商依赖的风险

产品中的核心原材料中自研芯片采用Fabless模式委托芯片代工企业生产，外购芯片主要采购英飞凌等芯片供应商。如果公司主要芯片代工供应商产能严重紧张或者难以通过供应商采购芯片，则可能导致公司产品无法及时、足量供应，进而对公司的经营业绩产生不利影响。

2、固定资产折旧及减值的风险

随着公司改扩建项目的投产使用，将新增较大量的固定资产，使得年新增折旧及摊销费用较大。若公司未来因面临低迷的行业环境而使得经营无法达到预期水平，则固定资产投入使用后带来的新增效益可能无法弥补计提折旧的金额。

固定资产存在由于损坏、技术升级和运营效率降低等原因存在资产减值的风险。未来，若下游市场重大变化、制造的工艺发生重大变革，或出现其他更为领先的工艺，亦会导致公司固定资产出现减值的风险。

（三）行业风险

1、市场竞争风险

国际市场上，经过60余年的发展，以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份额。同时，国际领先企业掌握着多规格中高端芯片制造技术和先进的封装技术，其研发投入强度也高于国内企业，在全球竞争中保持优势地位，几乎垄断工业控制、新能源、电动汽车等利润率较高的应用领域。

国内市场较为分散，市场化程度较高，各公司处于充分竞争状态。我国目前已成为全球最大的半导体分立器件市场，并保持着较快的发展速度，这可能会吸引更多的竞争对手加入从而导致市场竞争加剧，公司如果研发效果不达预期，不能满足新兴市场及领域的要求，公司市场份额存在下降的风险。

（四）宏观环境风险

公司产品主要应用于工业控制、新能源、电动汽车等行业，如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，上述行业的整体盈利能力会受到不同程度的影响，半导体行业也将随之受到影响，从而对公司的销售和利润带来负面影响。

四、报告期内核心竞争力分析

(一)核心竞争力分析

1、技术优势

IGBT作为一种功率半导体器件，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，是工业控制及自动化领域的核心元器件，属于国家战略高新技术及核心关键技术。公司专注于功率半导体器件的研发和技术创新，始终坚持“关注需求、赋予价值、成就品牌”的研发理念，以技术自主创新为根基，以研发持续投入为保障，建立了完善的研发体系和强大的研发团队。公司已具备并掌握先进的IGBT、FRED芯片设计能力、工艺设计能力、模块的封装设计与制造能力、特性分析与可靠性研究能力、器件的应用研究与失效分析能力。公司自主研发设计的芯片是公司模块产品具有高性价比的主要竞争力之一。经过多年的技术沉淀和积累，公司已在IGBT、FRED等功率半导体芯片、单管和模块的设计、封装和测试等方面积累了众多优秀核心技术。其中芯片领域的核心技术主要包括微细沟槽栅、多层场阻断层、虚拟原胞、逆导集成结构等IGBT芯片设计及制造技术；软恢复结构、非均匀少子寿命控制技术等FRED芯片设计及制造技术；高可靠终端设计等高压MOSFET芯片设计及制造技术等。

2、产品优势

公司致力于功率半导体芯片、单管及模块研发、生产和销售，公司产品集中应用于工业控制（变频器、伺服电机、UPS、开关电源等），部分产品应用于新能源发电（光伏逆变器等）、电动汽车（电控系统等）等多元化领域。目前，公司产品已涵盖IGBT、FRED、MOSFET芯片及单管产品80余种，IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品270余种，公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。

3、客户优势

公司凭借先进的产品技术、可靠的产品质量和优质的服务与行业龙头企业及众多知名客户保持了良好的商业合作关系，同时依托龙头企业产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。

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